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RJM0603JSC-00#13
| 制造商: | Renesas Electronics America |
|---|---|
| 产品类别: | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
| 说明书: | RJM0603JSC-00#13 |
| 描述: | MOSFET 3N/3P-CH 60V 20A HSOP |
| RoHS状态: | 通过无铅认证 |
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 制造商 | Renesas Electronics America |
| 产品类别 | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
| 系列 | Automotive, AEC-Q101 |
| 场效应晶体管类型 | 3 N and 3 P-Channel (3-Phase Bridge) |
| 包装 | - |
| 场效应晶体管的特性 | Logic Level Gate, 4.5V Drive |
| 部分状态 | Obsolete |
| 权力——马克思 | 54W |
| 安装方式 | Surface Mount |
| 包/箱 | 20-SOIC (0.433", 11.00mm Width) Exposed Pad |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
| 工作温度 | 175°C |
| Rds(最大)@ Id, Vgs | 20mOhm @ 10A, 10V |
| 供应商设备包 | 20-HSOP |
| 门电荷(Qg)(最大值)@ Vgs | 43nC @ 10V |
| 漏源极电压(Vdss) | 60V |
| 输入电容(Ciss) (Max) @ Vds | 2600pF @ 10V |
| 电流-持续排水(Id) @ 25°C | 20A |
现货库存 87 pcs
| 参考价 ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $0.00 | $0.00 | $0.00 |
最低数量: 1
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