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RJM0603JSC-00#13

制造商: Renesas Electronics America
产品类别: Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
说明书: RJM0603JSC-00#13
描述: MOSFET 3N/3P-CH 60V 20A HSOP
RoHS状态: 通过无铅认证
属性 属性值
制造商 Renesas Electronics America
产品类别 Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
系列 Automotive, AEC-Q101
场效应晶体管类型 3 N and 3 P-Channel (3-Phase Bridge)
包装 -
场效应晶体管的特性 Logic Level Gate, 4.5V Drive
部分状态 Obsolete
权力——马克思 54W
安装方式 Surface Mount
包/箱 20-SOIC (0.433", 11.00mm Width) Exposed Pad
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA
工作温度 175°C
Rds(最大)@ Id, Vgs 20mOhm @ 10A, 10V
供应商设备包 20-HSOP
门电荷(Qg)(最大值)@ Vgs 43nC @ 10V
漏源极电压(Vdss) 60V
输入电容(Ciss) (Max) @ Vds 2600pF @ 10V
电流-持续排水(Id) @ 25°C 20A

现货库存 87 pcs

参考价 ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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最低数量: 1

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