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ESM2012DV
| 制造商: | STMicroelectronics |
|---|---|
| 产品类别: | Transistors - Bipolar (BJT) - Single |
| 说明书: | ESM2012DV |
| 描述: | TRANS NPN DARL 120V 120A ISOTOP |
| RoHS状态: | 通过无铅认证 |
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 制造商 | STMicroelectronics |
| 产品类别 | Transistors - Bipolar (BJT) - Single |
| 系列 | - |
| 包装 | Tube |
| 部分状态 | Obsolete |
| 权力——马克思 | 175W |
| 安装方式 | Chassis Mount |
| 包/箱 | ISOTOP |
| 晶体管类型 | NPN - Darlington |
| 基础零件号 | ESM2012 |
| 工作温度 | 150°C (TJ) |
| 频率-过渡 | - |
| 供应商设备包 | ISOTOP® |
| Vce饱和(最大)@ Ib, Ic | 1.5V @ 1A, 100A |
| 电流-集电极(Ic) (Max) | 120A |
| 电流-集电极截止(最大) | - |
| 直流电流增益(hFE) (Min) @ Ic, Vce | 1200 @ 100A, 5V |
| 电压-集电极-发射极击穿(最大) | 120V |
