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IRF640FP

制造商:	STMicroelectronics
产品类别:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
说明书:	IRF640FP
描述:	MOSFET N-CH 200V 18A TO-220FP
RoHS状态:	通过无铅认证

属性	属性值
制造商	STMicroelectronics
产品类别	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
系列	MESH OVERLAY™
场效应晶体管类型	N-Channel
包装	Tube
vg (Max)	±20V
技术	MOSFET (Metal Oxide)
场效应晶体管的特性	-
部分状态	Obsolete
安装方式	Through Hole
包/箱	TO-220-3 Full Pack
基础零件号	IRF6
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
工作温度	150°C (TJ)
Rds(最大)@ Id, Vgs	180mOhm @ 9A, 10V
功耗(Max)	40W (Tc)
供应商设备包	TO-220FP
门电荷(Qg)(最大值)@ Vgs	72nC @ 10V
漏源极电压(Vdss)	200V
输入电容(Ciss) (Max) @ Vds	1560pF @ 25V
电流-持续排水(Id) @ 25°C	18A (Tc)
驱动电压(最大Rds开，最小Rds开)	10V