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SCTH90N65G2V-7
| 制造商: | STMicroelectronics |
|---|---|
| 产品类别: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| 说明书: | SCTH90N65G2V-7 |
| 描述: | SILICON CARBIDE POWER MOSFET 650 |
| RoHS状态: | 通过无铅认证 |
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 制造商 | STMicroelectronics |
| 产品类别 | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| 系列 | - |
| 场效应晶体管类型 | N-Channel |
| 包装 | Digi-Reel® |
| vg (Max) | +22V, -10V |
| 技术 | SiCFET (Silicon Carbide) |
| 场效应晶体管的特性 | - |
| 部分状态 | Active |
| 安装方式 | Surface Mount |
| 包/箱 | TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA |
| 基础零件号 | SCTH90 |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 1mA |
| 工作温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Rds(最大)@ Id, Vgs | 26mOhm @ 50A, 18V |
| 功耗(Max) | 330W (Tc) |
| 供应商设备包 | H2PAK-7 |
| 门电荷(Qg)(最大值)@ Vgs | 157nC @ 18V |
| 漏源极电压(Vdss) | 650V |
| 输入电容(Ciss) (Max) @ Vds | 3300pF @ 400V |
| 电流-持续排水(Id) @ 25°C | 90A (Tc) |
| 驱动电压(最大Rds开，最小Rds开) | 18V |
现货库存 71 pcs
| 参考价 ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $0.00 | $0.00 | $0.00 |
最低数量: 1
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