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SCTW90N65G2V

制造商:	STMicroelectronics
产品类别:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
说明书:	SCTW90N65G2V
描述:	SILICON CARBIDE POWER MOSFET 650
RoHS状态:	通过无铅认证

属性	属性值
制造商	STMicroelectronics
产品类别	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
系列	-
场效应晶体管类型	N-Channel
vg (Max)	+22V, -10V
技术	SiCFET (Silicon Carbide)
场效应晶体管的特性	-
部分状态	Active
安装方式	Through Hole
包/箱	TO-247-3
基础零件号	SCTW90
Vgs(th) (Max) @ Id	5V @ 250µA
工作温度	-55°C ~ 200°C (TJ)
Rds(最大)@ Id, Vgs	25mOhm @ 50A, 18V
功耗(Max)	390W (Tc)
供应商设备包	HiP247™
门电荷(Qg)(最大值)@ Vgs	157nC @ 18V
漏源极电压(Vdss)	650V
输入电容(Ciss) (Max) @ Vds	3300pF @ 400V
电流-持续排水(Id) @ 25°C	90A (Tc)
驱动电压(最大Rds开，最小Rds开)	18V