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STB200N6F3

制造商: STMicroelectronics
产品类别: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
说明书: STB200N6F3
描述: MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK
RoHS状态: 通过无铅认证
属性 属性值
制造商 STMicroelectronics
产品类别 Transistors - FETs, MOSFETs - Single
系列 STripFET™
场效应晶体管类型 N-Channel
包装 Digi-Reel®
vg (Max) ±20V
技术 MOSFET (Metal Oxide)
场效应晶体管的特性 -
部分状态 Obsolete
安装方式 Surface Mount
包/箱 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
基础零件号 STB200N
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
工作温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
Rds(最大)@ Id, Vgs 3.6mOhm @ 60A, 10V
功耗(Max) 330W (Tc)
供应商设备包 D2PAK
门电荷(Qg)(最大值)@ Vgs 100nC @ 10V
漏源极电压(Vdss) 60V
输入电容(Ciss) (Max) @ Vds 6800pF @ 25V
电流-持续排水(Id) @ 25°C 120A (Tc)
驱动电压(最大Rds开,最小Rds开) 10V

现货库存 292 pcs

参考价 ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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