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STGB30H60DFB

制造商: STMicroelectronics
产品类别: Transistors - IGBTs - Single
说明书: STGB30H60DFB
描述: TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT, HB
RoHS状态: 通过无铅认证
属性 属性值
制造商 STMicroelectronics
产品类别 Transistors - IGBTs - Single
系列 -
IGBT类型 Trench Field Stop
包装 Digi-Reel®
输入类型 Standard
门负责 149nC
部分状态 Active
权力——马克思 260W
安装方式 Surface Mount
包/箱 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
测试条件 400V, 30A, 10Ohm, 15V
基础零件号 STGB30
交换能量 383µJ (on), 293µJ (off)
Td(开/关)@ 25°C 37ns/146ns
工作温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
供应商设备包 D2PAK
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2V @ 15V, 30A
反向恢复时间(trr) 53ns
电流-集电极(Ic) (Max) 60A
集电极脉冲电流(Icm) 120A
电压-集电极-发射极击穿(最大) 600V

现货库存 842 pcs

参考价 ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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最低数量: 1

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