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STGW10M65DF2

制造商: STMicroelectronics
产品类别: Transistors - IGBTs - Single
说明书: STGW10M65DF2
描述: TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT M SE
RoHS状态: 通过无铅认证
属性 属性值
制造商 STMicroelectronics
产品类别 Transistors - IGBTs - Single
系列 M
IGBT类型 Trench Field Stop
包装 Tube
输入类型 Standard
门负责 28nC
部分状态 Active
权力——马克思 115W
安装方式 Through Hole
包/箱 TO-247-3
测试条件 400V, 10A, 22Ohm, 15V
基础零件号 STGW10
交换能量 120µJ (on), 270µJ (off)
Td(开/关)@ 25°C 19ns/91ns
工作温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
供应商设备包 TO-247
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2V @ 15V, 10A
反向恢复时间(trr) 96ns
电流-集电极(Ic) (Max) 20A
集电极脉冲电流(Icm) 40A
电压-集电极-发射极击穿(最大) 650V

现货库存 4 pcs

参考价 ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$1.86 $1.82 $1.79
最低数量: 1

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