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STGW8M120DF3

制造商: STMicroelectronics
产品类别: Transistors - IGBTs - Single
说明书: STGW8M120DF3
描述: TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT M SE
RoHS状态: 通过无铅认证
属性 属性值
制造商 STMicroelectronics
产品类别 Transistors - IGBTs - Single
系列 M
IGBT类型 Trench Field Stop
输入类型 Standard
门负责 32nC
部分状态 Active
权力——马克思 167W
安装方式 Through Hole
包/箱 TO-247-3
测试条件 600V, 8A, 33Ohm, 15V
基础零件号 STGW80
交换能量 390µJ (on), 370µJ (Off)
Td(开/关)@ 25°C 20ns/126ns
工作温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
供应商设备包 TO-247-3
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.3V @ 15V, 8A
反向恢复时间(trr) 103ns
电流-集电极(Ic) (Max) 16A
集电极脉冲电流(Icm) 32A
电压-集电极-发射极击穿(最大) 1200V

现货库存 65 pcs

参考价 ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$3.48 $3.41 $3.34
最低数量: 1

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