STGW8M120DF3
制造商: | STMicroelectronics |
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产品类别: | Transistors - IGBTs - Single |
说明书: | STGW8M120DF3 |
描述: | TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT M SE |
RoHS状态: | 通过无铅认证 |
属性 | 属性值 |
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制造商 | STMicroelectronics |
产品类别 | Transistors - IGBTs - Single |
系列 | M |
IGBT类型 | Trench Field Stop |
输入类型 | Standard |
门负责 | 32nC |
部分状态 | Active |
权力——马克思 | 167W |
安装方式 | Through Hole |
包/箱 | TO-247-3 |
测试条件 | 600V, 8A, 33Ohm, 15V |
基础零件号 | STGW80 |
交换能量 | 390µJ (on), 370µJ (Off) |
Td(开/关)@ 25°C | 20ns/126ns |
工作温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
供应商设备包 | TO-247-3 |
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.3V @ 15V, 8A |
反向恢复时间(trr) | 103ns |
电流-集电极(Ic) (Max) | 16A |
集电极脉冲电流(Icm) | 32A |
电压-集电极-发射极击穿(最大) | 1200V |
现货库存 65 pcs
参考价 ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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$3.48 | $3.41 | $3.34 |
最低数量: 1