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STGWT80H65DFB

制造商: STMicroelectronics
产品类别: Transistors - IGBTs - Single
说明书: STGWT80H65DFB
描述: IGBT 650V 120A 469W TO3P-3L
RoHS状态: 通过无铅认证
属性 属性值
制造商 STMicroelectronics
产品类别 Transistors - IGBTs - Single
系列 -
IGBT类型 Trench Field Stop
包装 Tube
输入类型 Standard
门负责 414nC
部分状态 Active
权力——马克思 469W
安装方式 Through Hole
包/箱 TO-3P-3, SC-65-3
测试条件 400V, 80A, 10Ohm, 15V
基础零件号 STGWT80
交换能量 2.1mJ (on), 1.5mJ (off)
Td(开/关)@ 25°C 84ns/280ns
工作温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
供应商设备包 TO-3P
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2V @ 15V, 80A
反向恢复时间(trr) 85ns
电流-集电极(Ic) (Max) 120A
集电极脉冲电流(Icm) 240A
电压-集电极-发射极击穿(最大) 650V

现货库存 4 pcs

参考价 ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$7.50 $7.35 $7.20
最低数量: 1

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