STGWT80H65DFB
制造商: | STMicroelectronics |
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产品类别: | Transistors - IGBTs - Single |
说明书: | STGWT80H65DFB |
描述: | IGBT 650V 120A 469W TO3P-3L |
RoHS状态: | 通过无铅认证 |
属性 | 属性值 |
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制造商 | STMicroelectronics |
产品类别 | Transistors - IGBTs - Single |
系列 | - |
IGBT类型 | Trench Field Stop |
包装 | Tube |
输入类型 | Standard |
门负责 | 414nC |
部分状态 | Active |
权力——马克思 | 469W |
安装方式 | Through Hole |
包/箱 | TO-3P-3, SC-65-3 |
测试条件 | 400V, 80A, 10Ohm, 15V |
基础零件号 | STGWT80 |
交换能量 | 2.1mJ (on), 1.5mJ (off) |
Td(开/关)@ 25°C | 84ns/280ns |
工作温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
供应商设备包 | TO-3P |
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2V @ 15V, 80A |
反向恢复时间(trr) | 85ns |
电流-集电极(Ic) (Max) | 120A |
集电极脉冲电流(Icm) | 240A |
电压-集电极-发射极击穿(最大) | 650V |
现货库存 4 pcs
参考价 ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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$7.50 | $7.35 | $7.20 |
最低数量: 1