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STGYA120M65DF2

制造商: STMicroelectronics
产品类别: Transistors - IGBTs - Single
说明书: STGYA120M65DF2
描述: TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT, M S
RoHS状态: 通过无铅认证
属性 属性值
制造商 STMicroelectronics
产品类别 Transistors - IGBTs - Single
系列 *
IGBT类型 NPT, Trench Field Stop
包装 Tube
输入类型 Standard
门负责 420nC
部分状态 Active
权力——马克思 625W
安装方式 Through Hole
包/箱 TO-247-3 Exposed Pad
测试条件 400V, 120A, 4.7Ohm, 15V
基础零件号 STGYA120
交换能量 1.8mJ (on), 4.41mJ (off)
Td(开/关)@ 25°C 66ns/185ns
工作温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
供应商设备包 MAX247™
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 1.95V @ 15V, 120A
反向恢复时间(trr) 202ns
电流-集电极(Ic) (Max) 160A
集电极脉冲电流(Icm) 360A
电压-集电极-发射极击穿(最大) 650V

现货库存 444 pcs

参考价 ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$11.03 $10.81 $10.59
最低数量: 1

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