Image is for reference only , details as Specifications

STGYA120M65DF2AG

制造商: STMicroelectronics
产品类别: Transistors - IGBTs - Single
说明书: STGYA120M65DF2AG
描述: IGBT
RoHS状态: 通过无铅认证
属性 属性值
制造商 STMicroelectronics
产品类别 Transistors - IGBTs - Single
系列 M
IGBT类型 Trench Field Stop
包装 Tube
输入类型 Standard
门负责 420nC
部分状态 Active
权力——马克思 625W
安装方式 Through Hole
包/箱 TO-247-3
测试条件 400V, 120A, 4.7Ohm, 15V
基础零件号 STGYA120
交换能量 1.8mJ (on), 4.41mJ (off)
Td(开/关)@ 25°C 66ns/185ns
工作温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
供应商设备包 MAX247™
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.15V @ 15V, 120A
反向恢复时间(trr) 202ns
电流-集电极(Ic) (Max) 160A
集电极脉冲电流(Icm) 360A
电压-集电极-发射极击穿(最大) 650V

现货库存 76 pcs

参考价 ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$11.03 $10.81 $10.59
最低数量: 1

报价请求

请填写以下表格,我们将尽快与您联系

猜你想要

FGY75T95LQDT
ON Semiconductor
$10.45
STGW40H120F2
STMicroelectronics
$10.25
FGY75T95SQDT
ON Semiconductor
$10
STGWA25M120DF3
STMicroelectronics
$10
RGS80TSX2HRC11
ROHM Semiconductor
$9.13