Image is for reference only , details as Specifications

STP80N6F6

制造商:	STMicroelectronics
产品类别:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
说明书:	STP80N6F6
描述:	MOSFET N-CH 60V TO-220
RoHS状态:	通过无铅认证

属性	属性值
制造商	STMicroelectronics
产品类别	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
系列	Automotive, AEC-Q101, DeepGATE™, STripFET™ VI
场效应晶体管类型	N-Channel
包装	Tube
vg (Max)	±20V
技术	MOSFET (Metal Oxide)
场效应晶体管的特性	-
部分状态	Obsolete
安装方式	Through Hole
包/箱	TO-220-3
基础零件号	STP80N
Vgs(th) (Max) @ Id	4.5V @ 250µA
工作温度	-55°C ~ 175°C (TJ)
Rds(最大)@ Id, Vgs	5.8mOhm @ 50A, 10V
功耗(Max)	120W (Tc)
供应商设备包	TO-220
门电荷(Qg)(最大值)@ Vgs	122nC @ 10V
漏源极电压(Vdss)	60V
输入电容(Ciss) (Max) @ Vds	7480pF @ 25V
电流-持续排水(Id) @ 25°C	110A (Tc)
驱动电压(最大Rds开，最小Rds开)	10V