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TSM120NA03CR RLG

制造商: Taiwan Semiconductor Corporation
产品类别: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
说明书: TSM120NA03CR RLG
描述: MOSFET N-CH 30V 39A 8PDFN
RoHS状态: 通过无铅认证
属性 属性值
制造商 Taiwan Semiconductor Corporation
产品类别 Transistors - FETs, MOSFETs - Single
系列 -
场效应晶体管类型 N-Channel
包装 Tape & Reel (TR)
vg (Max) ±20V
技术 MOSFET (Metal Oxide)
场效应晶体管的特性 -
部分状态 Active
安装方式 Surface Mount
包/箱 8-PowerTDFN
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA
工作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds(最大)@ Id, Vgs 11.7mOhm @ 11A, 10V
功耗(Max) 33W (Tc)
供应商设备包 8-PDFN (5x6)
门电荷(Qg)(最大值)@ Vgs 9.2nC @ 10V
漏源极电压(Vdss) 30V
输入电容(Ciss) (Max) @ Vds 562pF @ 15V
电流-持续排水(Id) @ 25°C 39A (Tc)
驱动电压(最大Rds开,最小Rds开) 4.5V, 10V

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