Image is for reference only , details as Specifications

TC58NVG0S3HBAI6

制造商: Toshiba Memory America, Inc.
产品类别: Memory
说明书: TC58NVG0S3HBAI6
描述: IC FLASH 1G PARALLEL 67VFBGA
RoHS状态: 通过无铅认证
属性 属性值
制造商 Toshiba Memory America, Inc.
产品类别 Memory
系列 -
包装 Tray
技术 FLASH - NAND (SLC)
访问时间 25ns
内存大小 1Gb (128M x 8)
内存类型 Non-Volatile
部分状态 Active
内存格式 FLASH
安装方式 Surface Mount
包/箱 67-VFBGA
内存接口 Parallel
电压-供应 2.7V ~ 3.6V
工作温度 -40°C ~ 85°C (TA)
供应商设备包 67-VFBGA (6.5x8)
写周期时间-字,页 25ns

现货库存 308 pcs

参考价 ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$2.77 $2.71 $2.66
最低数量: 1

报价请求

请填写以下表格,我们将尽快与您联系

猜你想要

TC58NYG0S3HBAI6
Toshiba Memory America, Inc.
$2.77
S29AL016J55TFNR10
Cypress Semiconductor Corp
$2.72
SST39VF1601-70-4C-EKE-T
Lanka Micro
$0
W631GG6MB-11
Winbond Electronics
$2.69
W631GU6MB-12
Winbond Electronics
$2.69