图片仅供参考,请参阅产品说明书

TC58NVG2S0HBAI6

制造商: Toshiba Memory America, Inc.
产品类别: Memory
说明书: TC58NVG2S0HBAI6
描述: IC FLASH 4G PARALLEL 67VFBGA
RoHS状态: 通过无铅认证
属性 属性值
制造商 Toshiba Memory America, Inc.
产品类别 Memory
系列 -
包装 Tray
技术 FLASH - NAND (SLC)
访问时间 25ns
内存大小 4Gb (512M x 8)
内存类型 Non-Volatile
部分状态 Active
内存格式 FLASH
安装方式 Surface Mount
包/箱 67-VFBGA
内存接口 Parallel
电压-供应 2.7V ~ 3.6V
工作温度 -40°C ~ 85°C (TA)
供应商设备包 67-VFBGA (6.5x8)
写周期时间-字,页 25ns

现货库存 85 pcs

参考价 ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$4.58 $4.49 $4.40
最低数量: 1

报价请求

请填写以下表格,我们将尽快与您联系

猜你想要

AS4C32M8SA-6TIN
Alliance Memory, Inc.
$3.95
AS4C32M8SA-7TCN
Alliance Memory, Inc.
$3.63
AS4C32M16D3L-12BCN
Alliance Memory, Inc.
$3.63
SST39VF1601-70-4I-EKE
Lanka Micro
$2.99
24LC1026-E/SM
Lanka Micro
$3.03