Image is for reference only , details as Specifications

TH58BVG2S3HTAI0

制造商: Toshiba Memory America, Inc.
产品类别: Memory
说明书: TH58BVG2S3HTAI0
描述: IC FLASH 4G PARALLEL 48TSOP I
RoHS状态: 通过无铅认证
属性 属性值
制造商 Toshiba Memory America, Inc.
产品类别 Memory
系列 Benand™
包装 Tray
技术 FLASH - NAND (SLC)
访问时间 25ns
内存大小 4Gb (512M x 8)
内存类型 Non-Volatile
部分状态 Active
内存格式 FLASH
安装方式 Surface Mount
包/箱 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
内存接口 Parallel
电压-供应 2.7V ~ 3.6V
工作温度 -40°C ~ 85°C (TA)
供应商设备包 48-TSOP I
写周期时间-字,页 25ns

现货库存 167 pcs

参考价 ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$5.34 $5.23 $5.13
最低数量: 1

报价请求

请填写以下表格,我们将尽快与您联系

猜你想要

TH58NVG2S3HBAI4
Toshiba Memory America, Inc.
$5.34
AS4C32M16MSA-6BIN
Alliance Memory, Inc.
$6.06
MT46V16M16CY-5B AAT:M TR
Micron Technology Inc.
$10.24
MR45V200BRAZAARL
ROHM Semiconductor
$7.32
AS4C128M16D3LC-12BAN
Alliance Memory, Inc.
$7.22