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TH58BYG2S3HBAI4
| 制造商: | Toshiba Memory America, Inc. |
|---|---|
| 产品类别: | Memory |
| 说明书: | TH58BYG2S3HBAI4 |
| 描述: | 4G SLC NAND BGA 24NM |
| RoHS状态: | 通过无铅认证 |
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 制造商 | Toshiba Memory America, Inc. |
| 产品类别 | Memory |
| 系列 | Benand™ |
| 技术 | FLASH - NAND (SLC) |
| 内存大小 | 4Gb (512M x 8) |
| 内存类型 | Non-Volatile |
| 部分状态 | Active |
| 内存格式 | FLASH |
| 安装方式 | Surface Mount |
| 包/箱 | 63-VFBGA |
| 内存接口 | - |
| 电压-供应 | - |
| 工作温度 | -40°C ~ 85°C |
| 供应商设备包 | 63-TFBGA (9x11) |
| 写周期时间-字，页 | - |
现货库存 210 pcs
| 参考价 ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $6.50 | $6.37 | $6.24 |
最低数量: 1
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