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TH58BYG2S3HBAI6
| 制造商: | Toshiba Memory America, Inc. |
|---|---|
| 产品类别: | Memory |
| 说明书: | TH58BYG2S3HBAI6 |
| 描述: | IC FLASH 4G PARALLEL 67VFBGA |
| RoHS状态: | 通过无铅认证 |
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 制造商 | Toshiba Memory America, Inc. |
| 产品类别 | Memory |
| 系列 | Benand™ |
| 包装 | Tray |
| 技术 | FLASH - NAND (SLC) |
| 访问时间 | 25ns |
| 内存大小 | 4Gb (512M x 8) |
| 内存类型 | Non-Volatile |
| 部分状态 | Active |
| 内存格式 | FLASH |
| 安装方式 | Surface Mount |
| 包/箱 | 67-VFBGA |
| 内存接口 | Parallel |
| 电压-供应 | 1.7V ~ 1.95V |
| 工作温度 | -40°C ~ 85°C (TA) |
| 供应商设备包 | 67-VFBGA (6.5x8) |
| 写周期时间-字，页 | 25ns |
现货库存 338 pcs
| 参考价 ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $5.13 | $5.03 | $4.93 |
最低数量: 1
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