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TC58NYG2S3EBAI5
| 制造商: | Toshiba Memory |
|---|---|
| 产品类别: | USB Flash Drives |
| 说明书: | TC58NYG2S3EBAI5 |
| 描述: | NAND Flash 1.8V 4Gb 43nm SLC NAND (EEPROM) |
| RoHS状态: | 通过无铅认证 |
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| RoHS | Details |
| 品牌 | Toshiba Memory |
| 速度 | 25 ns |
| 产品 | NAND Flash |
| 包装 | Tray |
| 内存大小 | 4 Gbit |
| 内存类型 | NAND |
| 子类别 | Memory & Data Storage |
| 时间类型 | Synchronous |
| 体系结构 | Block Erase |
| 制造商 | Toshiba |
| 组织 | 512 M x 8 |
| 产品类型 | NAND Flash |
| 数据总线宽度 | 8 bit |
| 接口类型 | Parallel |
| 越来越多的风格 | SMD/SMT |
| 包/箱 | TFBGA-63 |
| 产品类别 | NAND Flash |
| 水分敏感 | Yes |
| 最大供电电流 | 30 mA |
| 电源电压-最大 | 1.95 V |
| 电源电压-最小 | 1.7 V |
| 工厂包装数量 | 180 |
| 最大的时钟频率 | - |
| 最高工作温度 | + 85 C |
| 最低工作温度 | - 40 C |
现货库存 50 pcs
| 参考价 ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $0.00 | $0.00 | $0.00 |
最低数量: 1
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