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2SA1013-O,T6MIBF(J

制造商:	Toshiba Semiconductor and Storage
产品类别:	Transistors - Bipolar (BJT) - Single
说明书:	2SA1013-O,T6MIBF(J
描述:	TRANS PNP 1A 160V TO226-3
RoHS状态:	通过无铅认证

属性	属性值
制造商	Toshiba Semiconductor and Storage
产品类别	Transistors - Bipolar (BJT) - Single
系列	-
包装	Bulk
部分状态	Obsolete
权力——马克思	900mW
安装方式	Through Hole
包/箱	TO-226-3, TO-92-3 Long Body
晶体管类型	PNP
工作温度	150°C (TJ)
频率-过渡	50MHz
供应商设备包	TO-92L
Vce饱和(最大)@ Ib, Ic	1.5V @ 50mA, 500mA
电流-集电极(Ic) (Max)	1A
电流-集电极截止(最大)	1µA (ICBO)
直流电流增益(hFE) (Min) @ Ic, Vce	60 @ 200mA, 5V
电压-集电极-发射极击穿(最大)	160V