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2SA1312GRTE85LF

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
产品类别: Transistors - Bipolar (BJT) - Single
说明书: 2SA1312GRTE85LF
描述: TRANS PNP 120V 0.1A S-MINI
RoHS状态: 通过无铅认证
属性 属性值
制造商 Toshiba Semiconductor and Storage
产品类别 Transistors - Bipolar (BJT) - Single
系列 -
包装 Digi-Reel®
部分状态 Discontinued at Digi-Key
权力——马克思 150mW
安装方式 Surface Mount
包/箱 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
晶体管类型 PNP
工作温度 125°C (TJ)
频率-过渡 100MHz
供应商设备包 S-Mini
Vce饱和(最大)@ Ib, Ic 300mV @ 1mA, 10mA
电流-集电极(Ic) (Max) 100mA
电流-集电极截止(最大) 100nA (ICBO)
直流电流增益(hFE) (Min) @ Ic, Vce 200 @ 2mA, 6V
电压-集电极-发射极击穿(最大) 120V

现货库存 88 pcs

参考价 ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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最低数量: 1

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