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2SA1930,LBS2DIAQ(J
| 制造商: | Toshiba Semiconductor and Storage |
|---|---|
| 产品类别: | Transistors - Bipolar (BJT) - Single |
| 说明书: | 2SA1930,LBS2DIAQ(J |
| 描述: | TRANS PNP 2A 180V TO220-3 |
| RoHS状态: | 通过无铅认证 |
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 制造商 | Toshiba Semiconductor and Storage |
| 产品类别 | Transistors - Bipolar (BJT) - Single |
| 系列 | - |
| 包装 | Bulk |
| 部分状态 | Obsolete |
| 权力——马克思 | 2W |
| 安装方式 | Through Hole |
| 包/箱 | TO-220-3 Full Pack |
| 晶体管类型 | PNP |
| 工作温度 | 150°C (TJ) |
| 频率-过渡 | 200MHz |
| 供应商设备包 | TO-220NIS |
| Vce饱和(最大)@ Ib, Ic | 1V @ 100mA, 1A |
| 电流-集电极(Ic) (Max) | 2A |
| 电流-集电极截止(最大) | 5µA (ICBO) |
| 直流电流增益(hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 100mA, 5V |
| 电压-集电极-发射极击穿(最大) | 180V |
现货库存 74 pcs
| 参考价 ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $0.00 | $0.00 | $0.00 |
最低数量: 1
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