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2SA1955FVBTPL3Z

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
产品类别: Transistors - Bipolar (BJT) - Single
说明书: 2SA1955FVBTPL3Z
描述: TRANS PNP 12V 0.4A VESM
RoHS状态: 通过无铅认证
属性 属性值
制造商 Toshiba Semiconductor and Storage
产品类别 Transistors - Bipolar (BJT) - Single
系列 -
包装 Digi-Reel®
部分状态 Obsolete
权力——马克思 100mW
安装方式 Surface Mount
包/箱 SOT-723
晶体管类型 PNP
工作温度 150°C (TJ)
频率-过渡 130MHz
供应商设备包 VESM
Vce饱和(最大)@ Ib, Ic 250mV @ 10mA, 200mA
电流-集电极(Ic) (Max) 400mA
电流-集电极截止(最大) 100nA (ICBO)
直流电流增益(hFE) (Min) @ Ic, Vce 300 @ 10mA, 2V
电压-集电极-发射极击穿(最大) 12V

现货库存 10815 pcs

参考价 ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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最低数量: 1

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