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2SD2206(TE6,F,M)

制造商:	Toshiba Semiconductor and Storage
产品类别:	Transistors - Bipolar (BJT) - Single
说明书:	2SD2206(TE6,F,M)
描述:	TRANS NPN 2A 100V TO226-3
RoHS状态:	通过无铅认证

属性	属性值
制造商	Toshiba Semiconductor and Storage
产品类别	Transistors - Bipolar (BJT) - Single
系列	-
包装	Bulk
部分状态	Obsolete
权力——马克思	900mW
安装方式	Through Hole
包/箱	TO-226-3, TO-92-3 Long Body
晶体管类型	NPN
工作温度	150°C (TJ)
频率-过渡	100MHz
供应商设备包	TO-92MOD
Vce饱和(最大)@ Ib, Ic	1.5V @ 1mA, 1A
电流-集电极(Ic) (Max)	2A
电流-集电极截止(最大)	10µA (ICBO)
直流电流增益(hFE) (Min) @ Ic, Vce	2000 @ 1A, 2V
电压-集电极-发射极击穿(最大)	100V