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2SD2206A(T6SEP,F,M
| 制造商: | Toshiba Semiconductor and Storage |
|---|---|
| 产品类别: | Transistors - Bipolar (BJT) - Single |
| 说明书: | 2SD2206A(T6SEP,F,M |
| 描述: | TRANS NPN 2A 120V TO226-3 |
| RoHS状态: | 通过无铅认证 |
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 制造商 | Toshiba Semiconductor and Storage |
| 产品类别 | Transistors - Bipolar (BJT) - Single |
| 系列 | - |
| 包装 | Bulk |
| 部分状态 | Obsolete |
| 权力——马克思 | 900mW |
| 安装方式 | Through Hole |
| 包/箱 | TO-226-3, TO-92-3 Long Body |
| 晶体管类型 | NPN |
| 工作温度 | 150°C (TJ) |
| 频率-过渡 | - |
| 供应商设备包 | TO-92MOD |
| Vce饱和(最大)@ Ib, Ic | 1.5V @ 1mA, 1A |
| 电流-集电极(Ic) (Max) | 2A |
| 电流-集电极截止(最大) | - |
| 直流电流增益(hFE) (Min) @ Ic, Vce | 2000 @ 1A, 2V |
| 电压-集电极-发射极击穿(最大) | 120V |
现货库存 53 pcs
| 参考价 ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $0.00 | $0.00 | $0.00 |
最低数量: 1
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