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BAS316,H3F

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
产品类别: Diodes - Rectifiers - Single
说明书: BAS316,H3F
描述: DIODE GEN PURP 100V 250MA USC
RoHS状态: 通过无铅认证
属性 属性值
制造商 Toshiba Semiconductor and Storage
产品类别 Diodes - Rectifiers - Single
速度 Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
系列 -
二极管类型 Standard
部分状态 Active
安装方式 Surface Mount
包/箱 SC-76, SOD-323
电容@ Vr, F 0.35pF @ 0V, 1MHz
供应商设备包 USC
反向恢复时间(trr) 3ns
电流-反向泄漏@ Vr 200nA @ 80V
电压-直流反向(Vr) (Max) 100V
电流-平均整流(Io) 250mA
工作温度-结 150°C (Max)
电压-正向(Vf)(最大)@中频 1.25V @ 150mA

现货库存 65 pcs

参考价 ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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最低数量: 1

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