Image is for reference only , details as Specifications
GT60N321(Q)
| 制造商: | Toshiba Semiconductor and Storage |
|---|---|
| 产品类别: | Transistors - IGBTs - Single |
| 说明书: | GT60N321(Q) |
| 描述: | IGBT 1000V 60A 170W TO3P LH |
| RoHS状态: | 通过无铅认证 |
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 制造商 | Toshiba Semiconductor and Storage |
| 产品类别 | Transistors - IGBTs - Single |
| 系列 | - |
| IGBT类型 | - |
| 包装 | Tube |
| 输入类型 | Standard |
| 部分状态 | Obsolete |
| 权力——马克思 | 170W |
| 安装方式 | Through Hole |
| 包/箱 | TO-3PL |
| 测试条件 | - |
| 基础零件号 | GT60 |
| 交换能量 | - |
| Td(开/关)@ 25°C | 330ns/700ns |
| 工作温度 | 150°C (TJ) |
| 供应商设备包 | TO-3P(LH) |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.8V @ 15V, 60A |
| 反向恢复时间(trr) | 2.5µs |
| 电流-集电极(Ic) (Max) | 60A |
| 集电极脉冲电流(Icm) | 120A |
| 电压-集电极-发射极击穿(最大) | 1000V |
现货库存 80 pcs
| 参考价 ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $0.00 | $0.00 | $0.00 |
最低数量: 1
报价请求
请填写以下表格，我们将尽快与您联系
猜你想要
