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HN1C01FE-GR,LF

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
产品类别: Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays
说明书: HN1C01FE-GR,LF
描述: TRANS 2NPN 50V 0.15A ES6
RoHS状态: 通过无铅认证
属性 属性值
制造商 Toshiba Semiconductor and Storage
产品类别 Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays
系列 -
包装 Digi-Reel®
部分状态 Discontinued at Digi-Key
权力——马克思 100mW
安装方式 Surface Mount
包/箱 SOT-563, SOT-666
晶体管类型 2 NPN (Dual)
工作温度 150°C (TJ)
频率-过渡 80MHz
供应商设备包 ES6
Vce饱和(最大)@ Ib, Ic 250mV @ 10mA, 100mA
电流-集电极(Ic) (Max) 150mA
电流-集电极截止(最大) 100nA (ICBO)
直流电流增益(hFE) (Min) @ Ic, Vce 200 @ 2mA, 6V
电压-集电极-发射极击穿(最大) 50V

现货库存 97 pcs

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