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HN3C51F-GR(TE85L,F

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
产品类别: Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays
说明书: HN3C51F-GR(TE85L,F
描述: TRANS 2NPN 120V 0.1A SM6
RoHS状态: 通过无铅认证
属性 属性值
制造商 Toshiba Semiconductor and Storage
产品类别 Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays
系列 -
包装 Digi-Reel®
部分状态 Obsolete
权力——马克思 300mW
安装方式 Surface Mount
包/箱 SC-74, SOT-457
晶体管类型 2 NPN (Dual)
工作温度 150°C (TJ)
频率-过渡 100MHz
供应商设备包 SM6
Vce饱和(最大)@ Ib, Ic 300mV @ 1mA, 10mA
电流-集电极(Ic) (Max) 100mA
电流-集电极截止(最大) 100nA (ICBO)
直流电流增益(hFE) (Min) @ Ic, Vce 200 @ 2mA, 6V
电压-集电极-发射极击穿(最大) 120V

现货库存 93 pcs

参考价 ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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