图片仅供参考,请参阅产品说明书

HN4A51JTE85LF

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
产品类别: Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays
说明书: HN4A51JTE85LF
描述: TRANS 2PNP 120V 0.1A SMV
RoHS状态: 通过无铅认证
属性 属性值
制造商 Toshiba Semiconductor and Storage
产品类别 Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays
系列 -
包装 Digi-Reel®
部分状态 Active
权力——马克思 300mW
安装方式 Surface Mount
包/箱 SC-74A, SOT-753
晶体管类型 2 PNP (Dual)
工作温度 150°C (TJ)
频率-过渡 100MHz
供应商设备包 SMV
Vce饱和(最大)@ Ib, Ic 300mV @ 1mA, 10mA
电流-集电极(Ic) (Max) 100mA
电流-集电极截止(最大) 100nA (ICBO)
直流电流增益(hFE) (Min) @ Ic, Vce 200 @ 2mA, 6V
电压-集电极-发射极击穿(最大) 120V

现货库存 5990 pcs

参考价 ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.00 $0.00 $0.00
最低数量: 1

报价请求

请填写以下表格,我们将尽快与您联系

猜你想要

SBC847BPDXV6T1G
ON Semiconductor
$0
PBLS4004Y,115
Nexperia USA Inc.
$0
NSBC113EPDXV6T1G
ON Semiconductor
$0
DDA114EU-7
Diodes Incorporated
$0.1
DDA143TU-7
Diodes Incorporated
$0.1