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HN4C51J(TE85L,F)

制造商:	Toshiba Semiconductor and Storage
产品类别:	Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays
说明书:	HN4C51J(TE85L,F)
描述:	TRANS 2NPN 120V 0.1A SMV
RoHS状态:	通过无铅认证

属性	属性值
制造商	Toshiba Semiconductor and Storage
产品类别	Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays
系列	-
包装	Digi-Reel®
部分状态	Active
权力——马克思	300mW
安装方式	Surface Mount
包/箱	SC-74A, SOT-753
晶体管类型	2 NPN (Dual) Common Base
工作温度	150°C (TJ)
频率-过渡	100MHz
供应商设备包	SMV
Vce饱和(最大)@ Ib, Ic	300mV @ 1mA, 10mA
电流-集电极(Ic) (Max)	100mA
电流-集电极截止(最大)	100nA (ICBO)
直流电流增益(hFE) (Min) @ Ic, Vce	200 @ 2mA, 6V
电压-集电极-发射极击穿(最大)	120V