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MT3S111TU,LF
| 制造商: | Toshiba Semiconductor and Storage |
|---|---|
| 产品类别: | Transistors - Bipolar (BJT) - RF |
| 说明书: | MT3S111TU,LF |
| 描述: | RF SIGE NPN BIPOLAR TRANSISTOR N |
| RoHS状态: | 通过无铅认证 |
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 制造商 | Toshiba Semiconductor and Storage |
| 产品类别 | Transistors - Bipolar (BJT) - RF |
| 获得 | 12.5dB |
| 系列 | - |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 部分状态 | Active |
| 权力——马克思 | 800mW |
| 安装方式 | Surface Mount |
| 包/箱 | 3-SMD, Flat Leads |
| 晶体管类型 | NPN |
| 工作温度 | 150°C (TJ) |
| 频率-过渡 | 10GHz |
| 供应商设备包 | UFM |
| 噪音指数(dB Typ @ f) | 0.6dB ~ 0.85dB @ 500MHz ~ 1GHz |
| 电流-集电极(Ic) (Max) | 100mA |
| 直流电流增益(hFE) (Min) @ Ic, Vce | 200 @ 30mA, 5V |
| 电压-集电极-发射极击穿(最大) | 6V |
现货库存 57 pcs
| 参考价 ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $0.00 | $0.00 | $0.00 |
最低数量: 1
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