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MT3S113TU,LF

制造商:	Toshiba Semiconductor and Storage
产品类别:	Transistors - Bipolar (BJT) - RF
说明书:	MT3S113TU,LF
描述:	RF TRANS NPN 5.3V 11.2GHZ UFM
RoHS状态:	通过无铅认证

属性	属性值
制造商	Toshiba Semiconductor and Storage
产品类别	Transistors - Bipolar (BJT) - RF
获得	12.5dB
系列	-
包装	Digi-Reel®
部分状态	Active
权力——马克思	900mW
安装方式	Surface Mount
包/箱	3-SMD, Flat Leads
晶体管类型	NPN
工作温度	150°C (TJ)
频率-过渡	11.2GHz
供应商设备包	UFM
噪音指数(dB Typ @ f)	1.45dB @ 1GHz
电流-集电极(Ic) (Max)	100mA
直流电流增益(hFE) (Min) @ Ic, Vce	200 @ 30mA, 5V
电压-集电极-发射极击穿(最大)	5.3V