RN1109CT(TPL3)
制造商: | Toshiba Semiconductor and Storage |
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产品类别: | Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased |
说明书: | RN1109CT(TPL3) |
描述: | TRANS PREBIAS NPN 0.05W CST3 |
RoHS状态: | 通过无铅认证 |
属性 | 属性值 |
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制造商 | Toshiba Semiconductor and Storage |
产品类别 | Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased |
系列 | - |
包装 | Cut Tape (CT) |
部分状态 | Obsolete |
权力——马克思 | 50mW |
安装方式 | Surface Mount |
包/箱 | SC-101, SOT-883 |
晶体管类型 | NPN - Pre-Biased |
电阻-基极(R1) | 47 kOhms |
供应商设备包 | CST3 |
电阻-发射极基(R2) | 22 kOhms |
Vce饱和(最大)@ Ib, Ic | 150mV @ 250µA, 5mA |
电流-集电极(Ic) (Max) | 50mA |
电流-集电极截止(最大) | 500nA |
直流电流增益(hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 10mA, 5V |
电压-集电极-发射极击穿(最大) | 20V |
现货库存 63 pcs
参考价 ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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最低数量: 1