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RN1110MFV,L3F

制造商:	Toshiba Semiconductor and Storage
产品类别:	Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased
说明书:	RN1110MFV,L3F
描述:	TRANS PREBIAS NPN 0.15W VESM
RoHS状态:	通过无铅认证

属性	属性值
制造商	Toshiba Semiconductor and Storage
产品类别	Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased
系列	-
包装	Digi-Reel®
部分状态	Discontinued at Digi-Key
权力——马克思	150mW
安装方式	Surface Mount
包/箱	SOT-723
晶体管类型	NPN - Pre-Biased
电阻-基极(R1)	4.7 kOhms
供应商设备包	VESM
Vce饱和(最大)@ Ib, Ic	300mV @ 500µA, 5mA
电流-集电极(Ic) (Max)	100mA
电流-集电极截止(最大)	100nA (ICBO)
直流电流增益(hFE) (Min) @ Ic, Vce	120 @ 1mA, 5V
电压-集电极-发射极击穿(最大)	50V