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RN1130MFV,L3F
| 制造商: | Toshiba Semiconductor and Storage |
|---|---|
| 产品类别: | Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased |
| 说明书: | RN1130MFV,L3F |
| 描述: | TRANS PREBIAS NPN 0.15W VESM |
| RoHS状态: | 通过无铅认证 |
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 制造商 | Toshiba Semiconductor and Storage |
| 产品类别 | Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased |
| 系列 | - |
| 包装 | Tape & Reel (TR) |
| 部分状态 | Active |
| 权力——马克思 | 150mW |
| 安装方式 | Surface Mount |
| 包/箱 | SOT-723 |
| 晶体管类型 | NPN - Pre-Biased |
| 电阻-基极(R1) | 100 kOhms |
| 频率-过渡 | 250MHz |
| 供应商设备包 | VESM |
| 电阻-发射极基(R2) | 100 kOhms |
| Vce饱和(最大)@ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 5mA |
| 电流-集电极(Ic) (Max) | 100mA |
| 电流-集电极截止(最大) | 500nA |
| 直流电流增益(hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 10mA, 5V |
| 电压-集电极-发射极击穿(最大) | 50V |
现货库存 72 pcs
| 参考价 ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $0.03 | $0.03 | $0.03 |
最低数量: 1
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