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RN1427TE85LF

制造商:	Toshiba Semiconductor and Storage
产品类别:	Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased
说明书:	RN1427TE85LF
描述:	TRANS PREBIAS NPN 200MW SMINI
RoHS状态:	通过无铅认证

属性	属性值
制造商	Toshiba Semiconductor and Storage
产品类别	Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased
系列	-
包装	Tape & Reel (TR)
部分状态	Active
权力——马克思	200mW
安装方式	Surface Mount
包/箱	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
晶体管类型	NPN - Pre-Biased
基础零件号	RN142*
电阻-基极(R1)	2.2 kOhms
频率-过渡	300MHz
供应商设备包	S-Mini
电阻-发射极基(R2)	10 kOhms
Vce饱和(最大)@ Ib, Ic	250mV @ 1mA, 50mA
电流-集电极(Ic) (Max)	800mA
电流-集电极截止(最大)	500nA
直流电流增益(hFE) (Min) @ Ic, Vce	90 @ 100mA, 1V
电压-集电极-发射极击穿(最大)	50V