RN1427TE85LF
制造商: | Toshiba Semiconductor and Storage |
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产品类别: | Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased |
说明书: | RN1427TE85LF |
描述: | TRANS PREBIAS NPN 200MW SMINI |
RoHS状态: | 通过无铅认证 |
属性 | 属性值 |
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制造商 | Toshiba Semiconductor and Storage |
产品类别 | Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased |
系列 | - |
包装 | Tape & Reel (TR) |
部分状态 | Active |
权力——马克思 | 200mW |
安装方式 | Surface Mount |
包/箱 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
晶体管类型 | NPN - Pre-Biased |
基础零件号 | RN142* |
电阻-基极(R1) | 2.2 kOhms |
频率-过渡 | 300MHz |
供应商设备包 | S-Mini |
电阻-发射极基(R2) | 10 kOhms |
Vce饱和(最大)@ Ib, Ic | 250mV @ 1mA, 50mA |
电流-集电极(Ic) (Max) | 800mA |
电流-集电极截止(最大) | 500nA |
直流电流增益(hFE) (Min) @ Ic, Vce | 90 @ 100mA, 1V |
电压-集电极-发射极击穿(最大) | 50V |
现货库存 73 pcs
参考价 ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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$0.11 | $0.11 | $0.11 |
最低数量: 1