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RN1901FETE85LF

制造商:	Toshiba Semiconductor and Storage
产品类别:	Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased
说明书:	RN1901FETE85LF
描述:	TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
RoHS状态:	通过无铅认证

属性	属性值
制造商	Toshiba Semiconductor and Storage
产品类别	Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased
系列	-
包装	Digi-Reel®
部分状态	Active
权力——马克思	100mW
安装方式	Surface Mount
包/箱	SOT-563, SOT-666
晶体管类型	2 NPN - Pre-Biased (Dual)
电阻-基极(R1)	4.7kOhms
频率-过渡	250MHz
供应商设备包	ES6
电阻-发射极基(R2)	4.7kOhms
Vce饱和(最大)@ Ib, Ic	300mV @ 250µA, 5mA
电流-集电极(Ic) (Max)	100mA
电流-集电极截止(最大)	100nA (ICBO)
直流电流增益(hFE) (Min) @ Ic, Vce	30 @ 10mA, 5V
电压-集电极-发射极击穿(最大)	50V