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RN2310(TE85L,F)
| 制造商: | Toshiba Semiconductor and Storage |
|---|---|
| 产品类别: | Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased |
| 说明书: | RN2310(TE85L,F) |
| 描述: | TRANS PREBIAS PNP 0.1W USM |
| RoHS状态: | 通过无铅认证 |
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 制造商 | Toshiba Semiconductor and Storage |
| 产品类别 | Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased |
| 系列 | - |
| 包装 | Tape & Reel (TR) |
| 部分状态 | Active |
| 权力——马克思 | 100mW |
| 安装方式 | Surface Mount |
| 包/箱 | SC-70, SOT-323 |
| 晶体管类型 | PNP - Pre-Biased |
| 基础零件号 | RN231* |
| 电阻-基极(R1) | 4.7 kOhms |
| 频率-过渡 | 200MHz |
| 供应商设备包 | USM |
| Vce饱和(最大)@ Ib, Ic | 300mV @ 250µA, 5mA |
| 电流-集电极(Ic) (Max) | 100mA |
| 电流-集电极截止(最大) | 100nA (ICBO) |
| 直流电流增益(hFE) (Min) @ Ic, Vce | 120 @ 1mA, 5V |
| 电压-集电极-发射极击穿(最大) | 50V |
现货库存 62 pcs
| 参考价 ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $0.05 | $0.05 | $0.05 |
最低数量: 1
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