图片仅供参考,请参阅产品说明书

RN2507(TE85L,F)

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
产品类别: Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased
说明书: RN2507(TE85L,F)
描述: TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SMV
RoHS状态: 通过无铅认证
属性 属性值
制造商 Toshiba Semiconductor and Storage
产品类别 Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased
系列 -
包装 Tape & Reel (TR)
部分状态 Active
权力——马克思 300mW
安装方式 Surface Mount
包/箱 SC-74A, SOT-753
晶体管类型 2 PNP - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled)
电阻-基极(R1) 10kOhms
频率-过渡 200MHz
供应商设备包 SMV
电阻-发射极基(R2) 47kOhms
Vce饱和(最大)@ Ib, Ic 300mV @ 250µA, 5mA
电流-集电极(Ic) (Max) 100mA
电流-集电极截止(最大) 100nA (ICBO)
直流电流增益(hFE) (Min) @ Ic, Vce 80 @ 10mA, 5V
电压-集电极-发射极击穿(最大) 50V

现货库存 52 pcs

参考价 ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.09 $0.09 $0.09
最低数量: 1

报价请求

请填写以下表格,我们将尽快与您联系

猜你想要

RN2610(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
$0
RN2503(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
$0.57
RN1508(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
$0
PBLS6023D,115
Nexperia USA Inc.
$0.14
IMH6AT108
ROHM Semiconductor
$0