RN2711JE(TE85L,F)
制造商: | Toshiba Semiconductor and Storage |
---|---|
产品类别: | Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased |
说明书: | RN2711JE(TE85L,F) |
描述: | TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV |
RoHS状态: | 通过无铅认证 |
属性 | 属性值 |
---|---|
制造商 | Toshiba Semiconductor and Storage |
产品类别 | Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased |
系列 | - |
包装 | Digi-Reel® |
部分状态 | Active |
权力——马克思 | 100mW |
安装方式 | Surface Mount |
包/箱 | SOT-553 |
晶体管类型 | 2 PNP - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled) |
电阻-基极(R1) | 10kOhms |
频率-过渡 | 200MHz |
供应商设备包 | ESV |
电阻-发射极基(R2) | - |
Vce饱和(最大)@ Ib, Ic | 300mV @ 250µA, 5mA |
电流-集电极(Ic) (Max) | 100mA |
电流-集电极截止(最大) | 100nA (ICBO) |
直流电流增益(hFE) (Min) @ Ic, Vce | 120 @ 1mA, 5V |
电压-集电极-发射极击穿(最大) | 50V |
现货库存 4000 pcs
参考价 ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
---|---|---|---|
$0.00 | $0.00 | $0.00 |
最低数量: 1