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SSM3J306T(TE85L,F)

制造商:	Toshiba Semiconductor and Storage
产品类别:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
说明书:	SSM3J306T(TE85L,F)
描述:	MOSFET P-CH 30V 2.4A TSM
RoHS状态:	通过无铅认证

属性	属性值
制造商	Toshiba Semiconductor and Storage
产品类别	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
系列	-
场效应晶体管类型	P-Channel
包装	Digi-Reel®
vg (Max)	±20V
技术	MOSFET (Metal Oxide)
场效应晶体管的特性	-
部分状态	Obsolete
安装方式	Surface Mount
包/箱	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id	-
工作温度	150°C (TJ)
Rds(最大)@ Id, Vgs	117mOhm @ 1A, 10V
功耗(Max)	700mW (Ta)
供应商设备包	TSM
门电荷(Qg)(最大值)@ Vgs	2.5nC @ 15V
漏源极电压(Vdss)	30V
输入电容(Ciss) (Max) @ Vds	280pF @ 15V
电流-持续排水(Id) @ 25°C	2.4A (Ta)
驱动电压(最大Rds开，最小Rds开)	4V, 10V