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SSM6J213FE(TE85L,F

制造商:	Toshiba Semiconductor and Storage
产品类别:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
说明书:	SSM6J213FE(TE85L,F
描述:	MOSFET P CH 20V 2.6A ES6
RoHS状态:	通过无铅认证

属性	属性值
制造商	Toshiba Semiconductor and Storage
产品类别	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
系列	U-MOSVI
场效应晶体管类型	P-Channel
包装	Tape & Reel (TR)
vg (Max)	±8V
技术	MOSFET (Metal Oxide)
场效应晶体管的特性	-
部分状态	Active
安装方式	Surface Mount
包/箱	SOT-563, SOT-666
Vgs(th) (Max) @ Id	1V @ 1mA
工作温度	150°C (TJ)
Rds(最大)@ Id, Vgs	103mOhm @ 1.5A, 4.5V
功耗(Max)	500mW (Ta)
供应商设备包	ES6
门电荷(Qg)(最大值)@ Vgs	4.7nC @ 4.5V
漏源极电压(Vdss)	20V
输入电容(Ciss) (Max) @ Vds	290pF @ 10V
电流-持续排水(Id) @ 25°C	2.6A (Ta)
驱动电压(最大Rds开，最小Rds开)	1.5V, 4.5V