SSM6J503NU,LF
制造商: | Toshiba Semiconductor and Storage |
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产品类别: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
说明书: | SSM6J503NU,LF |
描述: | MOSFET P CH 20V 6A 2-2AA1A |
RoHS状态: | 通过无铅认证 |
属性 | 属性值 |
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制造商 | Toshiba Semiconductor and Storage |
产品类别 | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
系列 | U-MOSVI |
场效应晶体管类型 | P-Channel |
包装 | Cut Tape (CT) |
vg (Max) | ±8V |
技术 | MOSFET (Metal Oxide) |
场效应晶体管的特性 | - |
部分状态 | Active |
安装方式 | Surface Mount |
包/箱 | 6-WDFN Exposed Pad |
Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 1mA |
工作温度 | 150°C (TJ) |
Rds(最大)@ Id, Vgs | 32.4mOhm @ 3A, 4.5V |
功耗(Max) | 1W (Ta) |
供应商设备包 | 6-UDFNB (2x2) |
门电荷(Qg)(最大值)@ Vgs | 12.8nC @ 10V |
漏源极电压(Vdss) | 20V |
输入电容(Ciss) (Max) @ Vds | 840pF @ 10V |
电流-持续排水(Id) @ 25°C | 6A (Ta) |
驱动电压(最大Rds开,最小Rds开) | 1.5V, 4.5V |
现货库存 1865 pcs
参考价 ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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$0.59 | $0.58 | $0.57 |
最低数量: 1