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SSM6L09FUTE85LF

制造商:	Toshiba Semiconductor and Storage
产品类别:	Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
说明书:	SSM6L09FUTE85LF
描述:	MOSFET N/P-CH 30V 0.4A/0.2A US6
RoHS状态:	通过无铅认证

属性	属性值
制造商	Toshiba Semiconductor and Storage
产品类别	Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
系列	-
场效应晶体管类型	N and P-Channel
包装	Cut Tape (CT)
场效应晶体管的特性	Logic Level Gate
部分状态	Active
权力——马克思	300mW
安装方式	Surface Mount
包/箱	6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Vgs(th) (Max) @ Id	1.8V @ 100µA
工作温度	150°C (TJ)
Rds(最大)@ Id, Vgs	700mOhm @ 200MA, 10V
供应商设备包	US6
门电荷(Qg)(最大值)@ Vgs	-
漏源极电压(Vdss)	30V
输入电容(Ciss) (Max) @ Vds	20pF @ 5V
电流-持续排水(Id) @ 25°C	400mA, 200mA