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TJ8S06M3L(T6L1,NQ)

制造商:	Toshiba Semiconductor and Storage
产品类别:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
说明书:	TJ8S06M3L(T6L1,NQ)
描述:	MOSFET P-CH 60V 8A DPAK-3
RoHS状态:	通过无铅认证

属性	属性值
制造商	Toshiba Semiconductor and Storage
产品类别	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
系列	U-MOSVI
场效应晶体管类型	P-Channel
包装	Tape & Reel (TR)
vg (Max)	+10V, -20V
技术	MOSFET (Metal Oxide)
场效应晶体管的特性	-
部分状态	Active
安装方式	Surface Mount
包/箱	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Vgs(th) (Max) @ Id	3V @ 1mA
工作温度	175°C (TJ)
Rds(最大)@ Id, Vgs	104mOhm @ 4A, 10V
功耗(Max)	27W (Tc)
供应商设备包	DPAK+
门电荷(Qg)(最大值)@ Vgs	19nC @ 10V
漏源极电压(Vdss)	60V
输入电容(Ciss) (Max) @ Vds	890pF @ 10V
电流-持续排水(Id) @ 25°C	8A (Ta)
驱动电压(最大Rds开，最小Rds开)	6V, 10V