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TK10A60D(STA4,Q,M)

制造商:	Toshiba Semiconductor and Storage
产品类别:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
说明书:	TK10A60D(STA4,Q,M)
描述:	MOSFET N-CH 600V 10A TO220SIS
RoHS状态:	通过无铅认证

属性	属性值
制造商	Toshiba Semiconductor and Storage
产品类别	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
系列	π-MOSVII
场效应晶体管类型	N-Channel
包装	Tube
vg (Max)	±30V
技术	MOSFET (Metal Oxide)
场效应晶体管的特性	-
部分状态	Active
安装方式	Through Hole
包/箱	TO-220-3 Full Pack
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 1mA
工作温度	150°C (TJ)
Rds(最大)@ Id, Vgs	750mOhm @ 5A, 10V
功耗(Max)	45W (Tc)
供应商设备包	TO-220SIS
门电荷(Qg)(最大值)@ Vgs	25nC @ 10V
漏源极电压(Vdss)	600V
输入电容(Ciss) (Max) @ Vds	1350pF @ 25V
电流-持续排水(Id) @ 25°C	10A (Ta)
驱动电压(最大Rds开，最小Rds开)	10V