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TK10J80E,S1E

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
产品类别: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
说明书: TK10J80E,S1E
描述: MOSFET N-CH 800V TO-3PN
RoHS状态: 通过无铅认证
属性 属性值
制造商 Toshiba Semiconductor and Storage
产品类别 Transistors - FETs, MOSFETs - Single
系列 π-MOSVIII
场效应晶体管类型 N-Channel
包装 Tube
vg (Max) ±30V
技术 MOSFET (Metal Oxide)
场效应晶体管的特性 -
部分状态 Active
安装方式 Through Hole
包/箱 TO-3P-3, SC-65-3
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 1mA
工作温度 150°C (TJ)
Rds(最大)@ Id, Vgs 1Ohm @ 5A, 10V
功耗(Max) 250W (Tc)
供应商设备包 TO-3P(N)
门电荷(Qg)(最大值)@ Vgs 46nC @ 10V
漏源极电压(Vdss) 800V
输入电容(Ciss) (Max) @ Vds 2000pF @ 25V
电流-持续排水(Id) @ 25°C 10A (Ta)
驱动电压(最大Rds开,最小Rds开) 10V

现货库存 60 pcs

参考价 ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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