图片仅供参考,请参阅产品说明书

TK31J60W,S1VQ

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
产品类别: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
说明书: TK31J60W,S1VQ
描述: MOSFET N CH 600V 30.8A TO-3P(N)
RoHS状态: 通过无铅认证
属性 属性值
制造商 Toshiba Semiconductor and Storage
产品类别 Transistors - FETs, MOSFETs - Single
系列 DTMOSIV
场效应晶体管类型 N-Channel
包装 Tube
vg (Max) ±30V
技术 MOSFET (Metal Oxide)
场效应晶体管的特性 Super Junction
部分状态 Active
安装方式 Through Hole
包/箱 TO-3P-3, SC-65-3
Vgs(th) (Max) @ Id 3.7V @ 1.5mA
工作温度 150°C (TJ)
Rds(最大)@ Id, Vgs 88mOhm @ 15.4A, 10V
功耗(Max) 230W (Tc)
供应商设备包 TO-3P(N)
门电荷(Qg)(最大值)@ Vgs 86nC @ 10V
漏源极电压(Vdss) 600V
输入电容(Ciss) (Max) @ Vds 3000pF @ 300V
电流-持续排水(Id) @ 25°C 30.8A (Ta)
驱动电压(最大Rds开,最小Rds开) 10V

现货库存 23 pcs

参考价 ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$8.04 $7.88 $7.72
最低数量: 1

报价请求

请填写以下表格,我们将尽快与您联系

猜你想要

STP38N65M5
STMicroelectronics
$7.97
IRFP22N60KPBF
Vishay / Siliconix
$7.74
STW20N95DK5
STMicroelectronics
$6.89
IXTT440N04T4HV
IXYS
$7.71
STW8N120K5
STMicroelectronics
$6.82