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TK31J60W,S1VQ

制造商:	Toshiba Semiconductor and Storage
产品类别:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
说明书:	TK31J60W,S1VQ
描述:	MOSFET N CH 600V 30.8A TO-3P(N)
RoHS状态:	通过无铅认证

属性	属性值
制造商	Toshiba Semiconductor and Storage
产品类别	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
系列	DTMOSIV
场效应晶体管类型	N-Channel
包装	Tube
vg (Max)	±30V
技术	MOSFET (Metal Oxide)
场效应晶体管的特性	Super Junction
部分状态	Active
安装方式	Through Hole
包/箱	TO-3P-3, SC-65-3
Vgs(th) (Max) @ Id	3.7V @ 1.5mA
工作温度	150°C (TJ)
Rds(最大)@ Id, Vgs	88mOhm @ 15.4A, 10V
功耗(Max)	230W (Tc)
供应商设备包	TO-3P(N)
门电荷(Qg)(最大值)@ Vgs	86nC @ 10V
漏源极电压(Vdss)	600V
输入电容(Ciss) (Max) @ Vds	3000pF @ 300V
电流-持续排水(Id) @ 25°C	30.8A (Ta)
驱动电压(最大Rds开，最小Rds开)	10V